Technische/n Mitarbeiter/in (m/w/d) K 28/26

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) ist eine führende Forschungseinrichtung auf dem Gebiet von Wissenschaft & Technik sowie Service & Transfer kristalliner Materialien. Unser Ziel ist es, durch moderne elektronische und photonische Technologien Lösungen für aktuelle gesellschaftliche Herausforderungen (z.B. Kommunikation, künstliche Intelligenz, Klimaschutz, Gesundheit etc.) zu ermöglichen. Die Arbeiten decken das gesamte Spektrum, von der Grundlagenforschung über die angewandte Forschung, bis hin zur vorindustriellen Entwicklung ab und werden in Zusammenarbeit mit nationalen und internationalen Partnern aus Universität, Akademie und Industrie durchgeführt. Das Institut ist Teil des Forschungsverbundes Berlin e.V. https://www.fv-berlin.de/ und gehört der Leibniz-Gemeinschaft https://www.leibniz-gemeinschaft.de/ an. Weitere Informationen finden Sie auf der Internetseite des Instituts: https://www.ikz-berlin.de/.

Zum frühestmöglichen Zeitpunkt ist eine Stelle zu besetzen für einen

Technische/n Mitarbeiter/in (m/w/d)

in der FZ-Si Gruppe der Halbleiter-Sektion.

Wir suchen eine engagierte und motivierte Person zur Verstärkung unseres Expertenteams, welche an der Entwicklung hochreiner Siliziumkristalle mittels des Floating-Zone (FZ) Verfahrens für den Einsatz in Gravitationswellendetektoren mitarbeitet.

Als Techniker/in unterstützen Sie die experimentelle Züchtung von Siliziumkristallen durch die Vor- und Nachbereitung von kristallinen Materialien sowie durch die Wartung und Instandhaltung der Kristallzüchtungsanlagen. Zu Ihren Aufgaben gehören insbesondere die Vorbereitung der Ausgangsmaterialien, der Umgang mit dem Rohmaterial sowie die Installation und Vorbereitung von Anlagenkomponenten für die FZ-Züchtungsprozesse.

Die Prozessvorbereitung umfasst insbesondere die mechanische Bearbeitung der Silizium-Rohstäbe an einer CNC-Drehmaschine, die nasschemische Reinigung des Siliziums sowie das Einrichten der Züchtungsanlage. Die Nachbereitung beinhaltet den Ausbau des kristallisierten Materials und die Reinigung der Anlage.

Ihr Profil:

• Abgeschlossene Ausbildung als Mechatroniker/in, Maschinen- und Anlagenbauer/in, Verfahrensmechaniker/in, Industriemechaniker/in, oder vergleichbar
• Erfahrung im Umgang mit Prozess- und Anlagentechnik
• Kenntnisse im Umgang mit Druckgasen und Vakuumtechnik wünschenswert
• Kenntnisse in Elektrotechnik, Steuerungstechnik und Datenverarbeitung vorteilhaft
• Fähigkeit zum selbstständigen Arbeiten, strukturierte und zielorientierte Arbeitsweise, Teamfähigkeit, Problemlösungskompetenz und Hands-on-Mentalität
• Fähigkeit zur effektiven Kommunikation mit Ingenieur/innen, Vorgesetzten und Techniker/innen

Wir bieten

• Ein anregendes, multidisziplinäres, modernes Laborarbeitsumfeld
• Mitwirkung an modernster Forschung/Verfahrensentwicklung
• Eine Vollzeitanstellung mit der Option auf Teilzeitbeschäftigung, zunächst drittmittelbefristet bis zum 30. Juni 2029, eine Verlängerung ist vorgesehen.
• Bezahlung nach Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD Bund, Einstufung erfolgt nach Qualifikation und Erfahrung) einschließlich der üblichen Sozialleistungen (30 Urlaubstage bei 5-Tage-Woche, betriebliche Altersvorsorge) und Zuschuss zum Firmenticket
• individuelle Möglichkeiten zur internen und externen Weiterbildung.

Das IKZ fördert Vielfalt. Wir begrüßen alle qualifizierten Bewerbungen, unabhängig von Alter, Behinderung, ethnischer Herkunft, Geschlecht, Nationalität, Religion, sexueller Orientierung oder Weltanschauung. Für alle Bewerbungen besteht Chancengleichheit. Wir sind bestrebt, den Frauenanteil zu erhöhen, daher sind Bewerbungen qualifizierter Interessentinnen besonders willkommen. Bewerbungen schwerbehinderter Menschen und gleichgestellten Personen im Sinne des SGB IX werden bei gleicher Eignung bzw. Qualifikation bevorzugt berücksichtigt. Das IKZ unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Beruf und Familie und ist durch das Audit „Beruf und Familie“ als familienfreundlich zertifiziert.

Für fachliche Auskünfte wenden Sie sich gern an:
Frau Dr. Iryna Buchovska, [email protected]

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