R&D Director/Manager- Power Discrete

上市櫃半導體大廠

Qualifications

• 電機、物理、材料或相關領域碩士以上學歷，博士尤佳。
• 具 10 年以上半導體 R&D 經驗，其中至少 5 年為 Power Semiconductor 管理經驗。
• 熟悉 Power Discrete 元件架構，如 Trench Gate／Shielded Gate MOSFET、Power Rectifier Diode、TVS。
• 具 Power Discrete 產品從研發、製程整合到量產的成功經驗，並熟悉 APQP、AEC-Q101；具 VDA 6.3 經驗尤佳。

Job Description

• 制定並推動 Power Discrete 產品中長期技術藍圖，涵蓋 MOSFET、TVS、Schottky Diode 等產品。

主導新技術與新材料開發，包括 Si、SiC、GaN 等 WBG 技術，提升產品效率及功率密度。

• 帶領產品由 Lab to Fab，負責元件架構、製程整合、電性驗證、良率提升及量產導入。
• 協同 PM、Operations、Reliability 等團隊，確保技術開發、產品驗證及 AEC-Q101 認證順利完成。
• 管理 R&D 組織，包括團隊建置、人才招募與接班、預算及資源配置、專案優先順序與技術人才培育。