炉管半导体薄膜前驱体研发工程师

该职位来源于猎聘 一、岗位职责 前驱体研发与优化：负责炉管工艺（LPCVD/ALD）用半导体薄膜前驱体材料的研发工作，包括新型前驱体的市场调研、供应商开发的技术汇总。 具体经验包含以下一种或者多种的优先考虑： ①Low K前驱体开发：专注于低介电常数（Low-K）前驱体材料的研发，应用于集成电路前端gate与S/D之间的绝缘介质层。负责Low-K薄膜的前瞻性技术调研。 ②Advanced Poly前驱体研究：开展先进硅（Advanced Poly）薄膜相关前驱体的研发工作，包括硅基前驱体的筛选、反应活性调控及薄膜电学性能优化，满足先进制程对先进硅薄膜厚度均匀性、高深宽比填充的台阶覆盖率、及P、Ge等掺杂精度的技术要求。 ③薄膜抑制剂开发与台阶覆盖率改善：研究并开发薄膜沉积过程中的抑制剂（Inhibitor）或表面修饰剂，通过调控前驱体的反应活性与扩散行为，改善薄膜在高深宽比结构（如沟槽、通孔）中的台阶覆盖率（Step Coverage）。负责设计DOE实验，优化工艺参数（温度、压力、气体比例及抑制剂添加量），提升薄膜的共形沉积能力。 二、任职要求 ①硕士及以上学历 ②专业方向：材料科学与工程、化学工程、有机化学、无机化学、微电子、半导体物理等相关专业。 三、岗位要求 ①善于汇总合整合前沿技术资料，逻辑思维强； ②对化学界面反应、分子动力学等化学知识有一定了解 ③对ALD、CVD以及催化反应了解透彻的优先考虑