晶体生长工艺工程师

该职位来源于猎聘 【工作职责】 1、负责磷化铟（InP）单晶生长工艺（LEC、VGF、VB等主流方法）的开发与优化，包括热场/温场设计、温度梯度控制、生长速率、压力控制及掺杂工艺调试，解决孪晶抑制、位错密度降低、电阻率均匀性及半绝缘性能一致性等关键难题； 2、主导从实验室小试、中试到量产线的工艺转移与固化，制定并完善标准作业程序（SOP）及技术规格书；监控生产过程数据，分析良率波动根因（如8D报告），提升单晶成品率与材料稳定性； 3、针对晶体微缺陷、点缺陷、晶格畸变等进行失效分析；熟练运用XRD、SEM、AFM、PL、Hall效应等表征手段评估晶体电学与光学性能，输出实验报告与改进建议； 4、独立操作与维护InP长晶炉、多晶合成炉、退火炉等相关设备；协同设备部门进行故障排查、预防性保养及新型长晶设备的选型、调试与国产化验证。 【任职要求】 1、本科及以上学历，硕士/博士优先； 2、材料科学与工程、半导体材料、微电子、凝聚态物理、无机非金属材料、物理化学等相关专业； 3、2年以上磷化铟（InP）或III-V族化合物半导体单晶生长研发/量产经验；优秀应届博士可放宽； 4、具备独立操作VGF/LEC/VB长晶设备实战经验，有量产线良率提升成功案例者优先。