大阪化合(株)
金刚石半导体材料高级研发科学家
2 months ago
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Important information
Contract type:
Permanent
Location:
Xiamen, Fujian, China
Work mode:
Onsite
Published on:
18 August 2026
What they need
该职位来源于猎聘 岗位职责: 1、工艺开发与优化: 主导或参与金刚石(尤其是单晶/高质量多晶)薄膜的外延生长(MPCVD)工艺研发,优化生长参数,提升衬底晶体质量、尺寸与性能一致性。 2、物性表征与机理研究: 利用多种分析手段(如SEM, AFM, Raman, XRD, 霍尔效应测试等)对金刚石材料的结构、电学、光学和热学性能进行深入表征,建立“工艺-结构-性能”之间的关联模型。 3、应用导向研发: 面向散热、光学窗口、半导体器件(如二极管、FET)等具体应用场景,进行金刚石衬底的针对性性能开发与评估。 4、跨学科协作: 与器件设计、应用开发团队紧密合作,提供材料层面的解决方案,支持下游客户的技术验证。 5、技术前瞻: 跟踪国内外金刚石半导体材料领域的最新科研与产业动态,撰写技术报告,参与制定公司技术发展规划。 6、知识产权贡献: 撰写高质量技术报告,申请发明专利,形成公司的核心技术壁垒。 任职要求: 1、学历与专业: 已获得或即将获得物理学、凝聚态物理、材料物理、微电子学与固体电子学等相关专业的博士学位。物理学背景优先。 2、
3、经验要求: 具有半导体材料(尤其是宽禁带半导体如金刚石、氮化镓、碳化硅等)或功能薄膜材料的研究经验。熟悉材料生长、表征或器件物理之一即可。 4、技能要求: 具备出色的实验设计、数据分析与解决问题能力。能熟练阅读英文文献,撰写技术文档。 5、素质要求: 对技术创新有浓厚兴趣,具备优秀的团队协作精神、严谨的科学态度和强大的抗压能力。
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